Расширение производства памяти нового поколения

Акционер фотографирует чипы высокопроизводительной памяти HBM4 и HBM4E на 57-м ежегодном собрании акционеров Samsung Electronics в марте 2026 года
Акционер фотографирует чипы HBM4 и HBM4E на собрании акционеров Samsung Electronics, март 2026 года

Samsung Electronics планирует более чем вдвое увеличить выпуск своего семейства памяти HBM4 в следующем году, включая шестое поколение HBM4 и седьмое поколение HBM4E. Компания намерена повысить спрос на стеклянные подложки в 2,5 раза по сравнению с этим годом. Стеклянные подложки — это стеклянные опоры, которые удерживают пластины на месте во время утончения DRAM памяти HBM.

Samsung увеличит объём аутсорсингового производства стеклянных подложек, ключевого материала в производстве HBM, до 50 тысяч листов в месяц в следующем году с 20 тысяч листов в месяц в этом году, сообщили источники в полупроводниковой отрасли. Потребность в стеклянных подложках составляла 10 тысяч листов в месяц ещё в прошлом году, удвоилась в этом году и установлена на рост в 2,5 раза в следующем.

Технология утончения и контроль деформации

Стеклянная подложка — это опора, временно прикрепляемая к нижней части пластины DRAM HBM, чтобы предотвратить её изгибание или растрескивание во время утончения и сверления. Поскольку HBM требует укладки нескольких кристаллов DRAM в ограниченную толщину, технология утончения пластин и процессы контроля деформации становятся всё более важными по мере увеличения числа слоёв.

Масштабирование 12-слойных конфигураций

Продукты HBM4 и HBM4E, которые Samsung готовит к массовому производству, ориентированы на конфигурации с 12 слоями и выше. Аналитики отрасли отмечают, что даже с учётом повторного использования стеклянных подложек после очистки и различий в потреблении в зависимости от метода нагрузки при обработке и выхода продукции, увеличение объёма в 2,5 раза делает весьма вероятным рост выпуска HBM4 и HBM4E как минимум вдвое по сравнению с этим годом.

Масштабирование производства и диверсификация продуктов

В феврале Samsung начал массовое производство и отгрузку HBM4, использующего DRAM шестого поколения с технологией 10 нанометров (1c) и базовый кристалл на базе 4-нанометрового процесса. В мае компания также предоставила образцы 12-слойной HBM4E клиентам, включая Nvidia.

Отрасль ожидает, что масштаб производства HBM Samsung возрастёт почти на 40% до примерно 250 тысяч пластин в следующем году с примерно 180 тысяч пластин в этом году, измеряя средний месячный ввод пластин. По составу продуктов семейство HBM4 должно вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году по мере масштабирования массового производства HBM4E.

Продукты высокопроизводительной памяти HBM4 загружаются на грузовик для отгрузки в производство на кампусе Samsung Electronics в Чхеонане в феврале 2026 года
Продукты HBM4 загружаются на грузовик для массового производства на кампусе Samsung Electronics в Чхеонане, февраль 2026 года

«По мере расширения производства HBM Samsung похоже размещает HBM4, высокостоимостный продукт, в центре своей стратегии», — сказал представитель отрасли.